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          • 主要特长 除近接曝光外,还可对应接触曝光(软接触和硬接触) 可对应幅度为500mm以上的大型胶片。 采用独自的光学系统,可选择单面曝光或双面曝光?;鼓芙幸坏剖剿嫫毓?。 装载有自动对位功能。通过特殊照明实现透明材料的对位。 除Roll to Roll外可设计枚叶式搬送等机构,根据客户的需要构成装置。 可选择基板台温度控制及掩膜冷却规格等。(选购项)
          • 主要特长 采用独自的镜面?镜头光学系统,实现**均匀的照射。 配备有可设定非接触?面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X?Y?θ轴对位台的对位系统。 采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。
          • 产品信息实验?研究用曝光装置 简练设计的手动式整面单次曝光装置。 主要特长 对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。 可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。 对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W?1kW?2kW?3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等
          • 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
          • 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
          • 主要特长 搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。 采用本公司开创的同轴对位方式和高速图像处理技术, 从而实现了高精度对位?;怪С諭R方式和背面方式。 通过本公司开创的光学式间隙传感器,可在非接触状态下高速、精的设定掩膜和基板间的近接间隙。 搭载有掩膜更换机。*多可自动更换20张掩膜。 *多可搭载3台片仓(Load port)。
          • 主要特长 利用本公司开创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。 装载机侧和卸载机侧*多可设置两个篮具(选购项)。 备有冷却机构,可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。 搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。 搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。 搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
          • 主要特长 采用独自的平行调整机构,能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。 利用独自的高速图像处理技术,实现高精度的对位。 利用图像处理技术,使预对位可对应薄型基板或翘曲基板及水晶等易碎Wafer(选购项)。 利用独自的接触压力精密控制机构,能够使Wafer与掩膜高精度地接触。 通过Wafer的背面真空吸着方式,实现高速度和高精度以及稳定的自动搬送
          • 产品信息实验?研究用曝光装置 简练设计的手动式整面单次曝光装置。 主要特长 对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。 可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。 对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W?1kW?2kW?3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等
          • 产品信息实验?研究用曝光装置 简练设计的手动式整面单次曝光装置。 主要特长 对应玻璃、Wafer、胶片等基材的实验研究用手动整面单次曝光机。也适合小批量生产。 可选择接触曝光(软接触、硬接触)和近接曝光。 对应*大尺寸为500mm×500mm的基板。根据用途和基板尺寸,配置有*佳组合的光学系统。其中包括:超高压水银灯(500W?1kW?2kW?3.5kW)、各种光学镜、特殊镜头、聚光镜等。
          • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
          • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
          • 利用独自的高速描画「Point Array方式」技术直接描画图形的装置。 主要特长 能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。 能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工艺中不需要掩膜,因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。 此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
          • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
          • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。
          • 主要特长 直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单,安定性高。 采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。 完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。 为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项) *大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。 能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
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